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参数资料
| 型号： | IRGS14B40L |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 430V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-252VAR |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT的|正陈| 430V五（巴西）国际消费电子展| 18A条一（c）|至252VAR |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | IRGS14B40L |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGS14C40L | 功能描述:IGBT IGNITION 430V 20A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRGS14C40LPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 430V LOW-VCEON DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGS14C40LPBF-EL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRGS14C40LTRL | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TRANSISTOR COLLECTOR EMITTER VOLTAG |
| IRGS14C40LTRLP | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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