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参数资料
型号： IRGS6B60K
厂商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 绝缘栅双极晶体管
文件页数： 8/13页
文件大小： 245K
代理商： IRGS6B60K
IRG/B/S/SL6B60K
8
www.irf.com
Fig.C.T.1
- Gate Charge Circuit (turn-off)
Fig.C.T.2
- RBSOA Circuit
1K
VCC
DUT
0
L
Fig.C.T.3
- S.C.SOA Circuit
Fig.C.T.4
- Switching Loss Circuit
Fig.C.T.5
- Resistive Load Circuit
L
Rg
VCC
diode clamp /
DUT
DUT /
DRIVER
- 5V
Rg
VCC
DUT
R =
V
CC
I
CM
L
Rg
80 V
DUT
480V
+
-
DC
Driver
DUT
360V
相关PDF资料
PDF描述
IRGSL6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGBC40S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A)
IRGBF20 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A)
IRGBF20F Aluminum Polymer SMT Capacitor; Capacitance: 470uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 10x10 mm; Packaging: Tape & Reel
IRGI4055PBF PDP TRENCH IGBT
相关代理商/技术参数
参数描述
IRGS6B60KD 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGS6B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGS6B60KDTRLP 功能描述:IGBT 模块 600V 5A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IRGS6B60KDTRRP 功能描述:IGBT 模块 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IRGS6B60KPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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