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参数资料
| 型号： | IRHM4160 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR |
| 中文描述： | 重复性雪崩和DV /受好评的HEXFET晶体管胸苷 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 266K |
| 代理商： | IRHM4160 |
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
%
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Starting T , Junction Temperature( C)
E
BOTTOM
ID
9.8A
14A
22A
TOP
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PDF描述 |
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