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参数资料
| 型号： | IRHM7250 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET的通孔（对254AA） |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | IRHM7250 |
www.irf.com
7
Radiation Characteristics
IRHM7250, JANSR2N7269
Fig 16.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 300K Rads (Si)
Fig 17.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 1 Mega Rads(Si)
Fig 14.
Typical Output Characteristics
Pre-Irradiation
Fig 15.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 100K Rads (Si)
Note: Bias Conditions during radiation: V
GS
= 0 Vdc, V
DS
= 160 Vdc
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRHM7260 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
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