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参数资料
| 型号： | IRHM8130 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET的通孔 |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 488K |
| 代理商： | IRHM8130 |
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Fig 24.
Maximum Safe Operating
Area
Fig 22.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 21.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 23.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
29
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRHM8130U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM8150 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHM8150D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM8150U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-254VAR |
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