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参数资料
| 型号： | IRHM8150 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET的通孔 |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 444K |
| 代理商： | IRHM8150 |
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
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V
(BR)DSS
I
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G
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0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
.-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRHM8150U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM8160 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHM8160D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM8160U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
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