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参数资料
| 型号： | IRHN93250 |
| 英文描述： | -200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-1 package |
| 中文描述： | - 200伏300kRad高可靠性单P沟道工贸硬化的贴片MOSFET的- 1封装 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | IRHN93250 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHN9250, JANSR2N7423U
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
IAS
0.01
t
p
D.U .T
L
V
DS
VD D
DRIVER
A
15V
-20V
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-12V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
-12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
-6.3A
-8.9A
-14A
TOP
BOTTOM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANSF2N7423U | -200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-1 package |
| JANSR2N7423U | -200V 100kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-1 package |
| IRHNA4064 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 75A I(D) | SMT |
| IRHNA4160 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 51A I(D) | SMT |
| IRHNA4260 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 43A I(D) | SMT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHNA3064 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNA3160 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNA3260 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHNA3Z60 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHNA3Z60SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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