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参数资料
| 型号： | IRHNA54160 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(表贴型抗辐射功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | 表面安装抗辐射功率MOSFET（表贴型抗辐射功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | IRHNA54160 |
www.irf.com
7
IRHNA57160
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
25
50
75
100
125
150
0
150
300
450
600
750
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
34A
47A
75A
TOP
BOTTOM
.
Pre-Irradiation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNA53260 | 200V, N-CHANNEL |
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| IRHNA54260 | 200V, N-CHANNEL |
| IRHNA57260 | 200V, N-CHANNEL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRHNA57060 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:200V, N-CHANNEL |
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| IRHNA57064/SLDC/BAE | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 75A 3SMD-2 SLDC FOR BAE - Virtual or Non-Physical Inventory (Software & Literature) |
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