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参数资料
| 型号： | IRHNJ598230 |
| 英文描述： | -200V 1000kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-0.5 package |
| 中文描述： | - 200伏1000kRad高可靠性单P沟道工贸硬化的贴片MOSFET的- 0.5软件包 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | IRHNJ598230 |
www.irf.com
7
IRHNJ7230
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
.
Pre-Irradiation
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
4.2A
5.9A
9.4A
TOP
BOTTOM
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PDF描述 |
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参数描述 |
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