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参数资料
| 型号： | IRHNJ7230 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 200V, N-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(200V,表贴型抗辐射功率N沟道MOS场效应管) |
| 中文描述： | 为200V，N沟道表面安装抗辐射功率MOSFET（200V的电压，表贴型抗辐射功率?沟道马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | IRHNJ7230 |
IRHNJ7230
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
1
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
1
10
100
5
6
V , Gate-to-Source Voltage (V)
7
8
9
10
11
12
VDS
20μs PULSE WIDTH
I
D
T = 25 C
T = 150 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
12V
9.4A
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