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参数资料
| 型号： | IRHQ53110 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N沟道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | IRHQ53110 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHQ57110
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
GS
.
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
2.1A
2.9A
4.6A
TOP
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHQ57110 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRHQ58110 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRHQ54110 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRHQ9110 | 100V, 4 P-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(100V,表贴型抗辐射功率四P沟道MOS场效应管) |
| IRHQ93110 | 100V, 4 P-Channel Surface Mount Radiation Hardened Power MOSFET(100V,表贴型抗辐射功率四P沟道MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHQ54110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHQ563110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHQ563110N | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED 100V, COMBINATION 2N-2P-CHANNEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28) |
| IRHQ563110P | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED 100V, COMBINATION 2N-2P-CHANNEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28) |
| IRHQ567110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
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