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参数资料
| 型号： | IRHQ63110 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 100V V(BR)DSS | 3A I(D) | LLCC |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的|阵|互补| 100V的五（巴西）直| 3A条（丁）| LLCC |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | IRHQ63110 |
www.irf.com
13
Pre-Irradiation
IRHQ6110
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-12V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
-12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
P-Channel
Q2,Q3
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
-1A
-1.5A
-2.3A
TOP
BOTTOM
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
V
DD
DRIVER
A
15V
-20V
GS
.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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