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参数资料
| 型号： | IRHSNA53Z60 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SMT |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 30V的五（巴西）直| 75A条（丁）|贴片 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | IRHSNA53Z60 |
IRHSNA57Z60
8
www.irf.com
Pre-Irradiation
MOSFET Body Diode & Schottky Diode Characteristics
Fig. 10
- Typical Forward Voltage Drop Characterstics
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case, Schottky
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Forward Voltage Drop - VSD (V)
1
10
100
I
Tj = -55°C
Tj = 110°C
Tj = 25°C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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