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参数资料
| 型号： | IRIS4007K |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH PWR 200V 4A TO-262-5 |
| 标准包装： | 50 |
| 应用： | 控制器，ACDC、DCDC 切换电源 |
| 输入电压： | 10 V ~ 16 V |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 200V |
| 工作温度： | -20°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-5 |
| 供应商设备封装： | TO-262-5 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRIS4007K |
IRIS4007 ( K )
Electrical Characteristics (for Control IC)
V CC = 18V, (T A = 25 ° C) unless otherwise specified.
Symbol
Definition
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
V CCUV+
V CCUV-
V CC supply undervoltage positive going threshold
V CC supply undervoltage negative going threshold
14.4
9
16
10
17.6
11
V
I QCCUV
I QCC
T OFF/(MAX)
T TH(2)
T OFF/(MIN)
V TH(1)
V TH(2)
I OCP/FB
V CC(OVP)
I CC(LA)
V CC(LaOFF)
T J(TSD)
UVLO mode quiescent current
Quiescent operating VCC supply current
Maximum OFF time
Minimum input pulse width for quasi resonant signals
Minimum OFF time
OCP/FB terminal threshold voltage 1
OCP/FB terminal threshold voltage 2
OCP/FB terminal sink current
V CC overvoltage protection limit
Latch circuit holding current
Latch circuit reset voltage
Thermal shutdown activation temperature
—
—
40
—
—
0.68
1.3
1.1
20.5
—
6.6
140
—
—
—
—
—
0.73
1.45
1.35
22.5
—
—
—
100
30
60
1.0
1.5
0.78
1.6
1.7
24.5
400
8.4
—
μ A
mA
μ sec
V
mA
V
μ A
V
o C
V CC < V CCUV+
Electrical Characteristics (for MOSFET)
(T A = 25 ° C) unless otherwise specified.
Symbol
Definition
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
V DSS
Drain-to-source breakdown voltage
200
—
—
V
I DSS
Drain leakage current
—
—
250
μ A
Vds=160V, V CC =0V
Tj =125 o C
R DS(ON)
tr
THj-C
On-resistance
Rise time (10% to 90%)
Thermal resistance
—
—
—
—
—
—
0.4
200
1.7
?
ns
o C/W
V 3-1 =10V, I D =4A
Between junction
and case
www.irf.com
3
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