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参数资料
| 型号： | IRKLF200-04HJ |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,4V,快速可控硅/可控硅L结构MAGN-A-pak功率模块) |
| 中文描述： | 200，磁共振-甲柏功率模块（200安培，4V电压，快速可控硅/可控硅蜇结构磁共振-甲柏功率模块） |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | IRKLF200-04HJ |
IRK.F200.. Series
8
Bulletin I27099 rev. A 10/97
www.irf.com
Fig. 13 - Frequency Characteristics
Fig. 14 - Maximum On-state Energy Power Loss Characteristics
Fig. 15 - Gate Characteristics
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
P
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber c irc uit
R s
C s
μF
V = 80% V
IRK.F200.. Series
Trapezoida l pulse
T = 60°C di/dt 50A/μs
1E4
tp
DRM
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F200.. Series
Trapezoida l pulse
T = 60
°C di/dt 100A/μs
Snubber c irc uit
R s
C s
V = 80% V
tp
DRM
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
10 joules per pulse
5
2.5
1
0.5
0.25
0.1
0.05
P
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F200.. Series
Sinusoidal pulse
tp
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
10 joules per pulse
5
2.5
1
0.5
0.25
0.1
0.05
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F200.. Series
Tra pezoidal pulse
di/dt 50A/
μs
tp
1E1
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
VGD
IGD
(b)
(a)
T
°
T
T
(2)
(3)
Instantaneous G ate Current (A)
I
a) Recommended load line for
rated di/dt : 10V, 10ohms
b) Recommended load line for
<=30% rated di/dt : 10V, 20ohms
Rectangular gate pulse
IRK.F200.. Series Frequenc y Limited by PG(AV)
(1) PGM = 8W, tp = 25ms
(2) PGM = 20W, tp = 1ms
(3) PGM = 40W, tp = 5ms
(4) PGM = 80W, tp = 2.5ms
(1)
(4)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKLF200-04HK | 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,4V,快速可控硅/可控硅L结构MAGN-A-pak功率模块) |
| IRKHF200-12HJ | 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,12V,快速可控硅/二极管H结构MAGN-A-pak功率模块) |
| IRKHF200-12HK | 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,12V,快速可控硅/二极管H结构MAGN-A-pak功率模块) |
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| IRKLF200-12HK | 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,12V,快速可控硅/可控硅L结构MAGN-A-pak功率模块) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRKLF200-04HK | 功能描述:SCR模块 400 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKLF200-04HP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|400V V(RRM)|200A I(T) |
| IRKLF200-06CJ | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|600V V(RRM)|200A I(T) |
| IRKLF200-06CK | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|600V V(RRM)|200A I(T) |
| IRKLF200-06CP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|600V V(RRM)|200A I(T) |
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