参数资料
型号: IRKLF200-12HJ
厂商: International Rectifier
英文描述: 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,12V,快速可控硅/可控硅L结构MAGN-A-pak功率模块)
中文描述: 200,磁共振-甲柏功率模块(200安培,12V的,快速可控硅/可控硅蜇结构磁共振-甲柏功率模块)
文件页数: 7/8页
文件大小: 154K
代理商: IRKLF200-12HJ
IRK.F200.. Series
7
Bulletin I27099 rev. A 10/97
www.irf.com
Fig. 9 - Reverse Recovery Charge Characteristics
Fig. 10 - Reverse Recovery Current Characteristics
Fig. 11 - Frequency Characteristics
Fig. 12 - Frequency Characteristics
30
60
90
120
150
180
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
500A
300A
200A
100A
M
Rate Of Fall Of Forward C urrent - di/dt (A/
μs)
IRK.F200.. Series
T = 125°C
I = 1000A
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
280
300
320
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
300 A
200 A
100 A
500 A
M
μ
Rate Of Fall Of Forward C urrent - di/dt (A/
μs)
I = 1000 A
IRK.F200.. Series
T = 125°C
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
P
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F200.. Series
Sinusoidal pulse
T = 85
°C
Snubber c irc uit
R s
C s
V = 80% V
tp
1E4
DRM
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber circ uit
R s
C s
μF
V = 80% V
IRK.F200.. Series
Sinusoidal pulse
T = 60°C
tp
DRM
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Pulse Basewidth (
μs)
P
IRK.F200.. Series
Tra pezoidal pulse
T = 85
°C di/dt 50A/μs
Snubber c ircuit
R s
Cs
V = 80% V
tp
DRM
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber circ uit
R s
Cs
μF
V = 80% V
IRK.F200.. Series
Trapezoidal pulse
T = 85°C di/dt 100A/μs
tp
DRM
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PDF描述
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