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参数资料
| 型号： | IRKT26 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| 中文描述： | 晶闸管/二极管和晶闸管/晶闸管 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | IRKT26 |
IRK.26 Series
2
Bulletin I27130 rev. G 10/02
www.irf.com
V
RRM
, maximum
repetitive
peak reverse voltage
V
400
600
800
1000
1200
1400
1600
V
, maximum
non-repetitive
peak reverse voltage
V
500
700
900
1100
1300
1500
1700
V
, max. repetitive
peak off-state voltage,
gate open circuit
V
400
600
800
1000
1200
1400
1600
I
RRM
I
DRM
125°C
mA
Voltage
Code
-
04
06
08
10
12
14
16
IRK.26
15
I
T(AV)
Max. average on-state
current (Thyristors)
Max. average forward
current (Diodes)
I
O(RMS
)
Max. continuous RMS
on-state current.
As AC switch
27
27
180
o
conduction, half sine wave,
T
C
= 85
o
C
I
F(AV)
I
TSM
or
I
FSM
Max. peak, one cycle
non-repetitive on-state
or forward current
400
420
335
350
470
t=10ms
t=8.3ms
t=10ms
t=8.3ms
t=10ms
No voltage
reapplied
100% V
RRM
reapplied
T
J
= 25
o
C,
no voltage reapplied
No voltage
reapplied
100% V
RRM
reapplied
T
J
= 25
o
C,
no voltage reapplied
490
800
730
560
510
1100
1000
t=8.3ms
t=10ms
t=8.3ms
t=10ms
t=8.3ms
t=10ms
t=8.3ms
I
2
t
Max. I
2
t for fusing
I
2
√
t
Max. I
2
√
t for fusing (1)
8000
A
2
√
s
t= 0.1 to 10ms, no voltage reappl. T
J
=T
J
max
Low level (3)
High level (4)
Low level (3)
High level (4)
I
TM
=
π
x I
T(AV)
I
FM
=
π
x I
F(AV)
T
J
= 25
o
C, from 0.67 V
DRM
,
I
TM
=
π
x I
T(AV)
,
I
g
= 500mA,
t
r
< 0.5 μs, t
p
> 6 μs
T
J
= 25
o
C, anode supply = 6V,
resistive load, gate open circuit
V
T(TO)
Max. value of threshold
voltage (2)
r
t
slope resistance (2)
V
TM
V
FM
di/dt
Max. non-repetitive rate
0.92
0.95
12.11
11.82
Max. value of on-state
Max. peak on-state or
T
J
= 25
o
C
forward voltage
of rise of turned on
150
A/μs
current
Max. holding current
I
H
200
I
L
Max. latching current
400
T
J
= 25
o
C, anode supply = 6V, resistive load
T
J
= T
J
max
T
J
= T
J
max
Parameters
IRK.26
Units
Conditions
60
(1) I
2
t for time t
x
=
I
2
√
t
x
√
t
x
(4)
I >
π
x I
AV
(2) Average power
=
V
T(TO)
x
I
T(AV)
+
r
t
x
(I
T(RMS)
)
2
(3) 16.7%
x
π
x I
AV
< I <
π
x I
AV
On-state Conduction
Initial T
J
= T
J
max.
A
A
2
s
V
m
1.95
V
mA
or
I
(RMS)
I
(RMS)
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
Type number
Sinusoidal
half wave,
Initial T
J
= T
J
max.
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