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参数资料
| 型号： | IRKT92/12S90PBF |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 210 A, 1200 V, SCR, TO-240AA |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | IRKT92/12S90PBF |
IRK.71, .91 Series
2
Bulletin I27132 rev. D 09/97
www.irf.com
On-state Conduction
I
T(AV)
Max. average on-state
current (Thyristors)
180o conduction, half sine wave,
I
F(AV)
Max. average forward
T
C
= 85oC
current (Diodes)
I
O(RMS
)
Max. continuous RMS
on-state current.
165
210
As AC switch
I
TSM
Max. peak, one cycle
1665
1785
t=10ms
No voltage
or
non-repetitive on-state
1740
1870
t=8.3ms reapplied
I
FSM
or forward current
1400
1500
t=10ms
100% V
RRM
1470
1570
t=8.3ms reapplied
1850
2000
t=10ms
T
J
= 25oC,
1940
2100
t=8.3ms no voltage reapplied
I
2 t
Max. I
2t for fusing
13.86
15.91
t=10ms
No voltage
12.56
14.52
t=8.3ms reapplied
9.80
11.25
t=10ms
100% V
RRM
8.96
10.27
t=8.3ms reapplied
17.11
20.00
t=10ms
T
J = 25
oC,
15.60
18.30
t= 8.3ms no voltage reapplied
I
2
√t
Max. I
2
√t for fusing (1)
138.6
159.1
KA
2
√s
t=0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
T(TO)
Max. value of threshold
0.82
0.80
Low level (3)
voltage (2)
0.85
High level (4)
r
t
Max. value of on-state
3.00
2.40
Low level(3)
slope resistance (2)
2.90
2.25
High level (4)
V
TM
Max. peak on-state or
I
TM
=
πx I
T(AV)
V
FM
forward voltage
I
FM
=
π x I
F(AV)
di/dt
Max. non-repetitive rate
T
J
= 25oC, from 0.67 V
DRM
,
of rise of turned on
150
A/s
I
TM =π x IT(AV), Ig
= 500mA,
current
t
r
< 0.5 s, t
p
> 6 s
I
H
Max. holding current
200
T
J = 25
oC, anode supply = 6V,
resistive load, gate open circuit
IL
Max. latching current
400
TJ = 25oC, anode supply = 6V, resistive load
Parameters
IRK.71
IRK.91
Units
Conditions
Initial T
J
= T
J
max.
A
KA
2s
V
m
1.59
1.58
V
mA
or
I
(RMS)
I
(RMS)
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
Type number
V
RRM
, maximum
V
RSM
, maximum
V
DRM
, max. repetitive
I
RRM
Voltage
repetitive
non-repetitive
peak off-state voltage,
I
DRM
Code
peak reverse voltage
gate open circuit
125°C
-
VVV
mA
04
400
500
400
06
600
700
600
08
800
900
800
IRK.71/ .91
10
1000
1100
1000
15
12
1200
1300
1200
14
1400
1500
1400
16
1600
1700
1600
Sinusoidal
half wave,
Initial T
J
= T
J
max.
75
95
T
J
= T
J
max
TJ = TJ max
T
J = 25°C
(1) I
2t for time t
x
= I2
√t x √t
x
(2) Average power
= V
T(TO)
x I
T(AV)
+ r
t
x (I
T(RMS)
)
2
(3) 16.7% x
π x I
AV
< I <
π x I
AV
(4) I >
π x I
AV
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKT92/16S90PBF | 210 A, 1600 V, SCR, TO-240AA |
| IRKKF180-04HPS20PBF | 282.6 A, 400 V, SCR |
| IRKKF180-06CJS10PBF | 282.6 A, 600 V, SCR |
| IRKKF180-06CKS10PBF | 282.6 A, 600 V, SCR |
| IRKKF180-06CKS20PBF | 282.6 A, 600 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRKTF132-08HL | 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述: |
| IRKTF180-08HK | 功能描述:SCR模块 800 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF180-12HJ | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF180-12HK | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-08HJ | 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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