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参数资料
| 型号： | IRKTF111-08HNN |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| 中文描述： | 快速晶闸管/二极管和晶闸管/晶闸管 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | IRKTF111-08HNN |
IRK.F112.. Series
5
Bulletin I27091 rev. A 09/97
www.irf.com
- All dimensions in millimeters (inches)
- Dimensions are nominal
- Full engineering drawings are available
on request
- UL identification number for gate and
cathode wire: UL 1385
- UL identification number for package:
UL 94V0
Outline Table
For all types
IRK...1
A
B
----
C
----
D
E
25 (0.98)
41 (1.61)
47 (1.85)
IRK...2
23 (0.91)
30 (1.18)
36 (1.42)
----
----
IRKTF..
IRKHF..
IRKLF..
IRKUF..
IRKVF..
IRKKF..
IRKNF..
Fig. 1 - Current Ratings Characteristics
Fig. 2 - Current Ratings Characteristics
80
90
100
110
120
130
0
20
40
60
80
100
120
30
°
60°
90°
120°
180°
Average On-state Current (A)
M
°
C onduc tion Angle
IRK.F112.. Series
R (DC ) = 0.17 K/W
70
80
90
100
110
120
130
0
40
80
120
160
200
DC
30
°
60°
90°
120°
180°
Average On-state C urrent (A)
M
°
Conduc tion Period
IRK.F112.. Series
R (DC ) = 0.17 K/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKTF112-08HNN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| IRKHF132-08HL | INT-A-pak Power Modules(可控硅/二极管H结构INT-A-pak功率模块) |
| IRKTF131-08HLN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| IRKTF132-08HLN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| IRKTF131-04HL | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRKTF132-08HL | 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述: |
| IRKTF180-08HK | 功能描述:SCR模块 800 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF180-12HJ | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF180-12HK | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-08HJ | 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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