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参数资料
| 型号： | IRKTF112-04HLN |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| 中文描述： | 快速晶闸管/二极管和晶闸管/晶闸管 |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | IRKTF112-04HLN |
IRK.F112.. Series
8
Bulletin I27091 rev. A 09/97
www.irf.com
Fig. 15 - Gate Characteristics
Fig. 13 - Frequency Characteristics
Fig. 14 - Maximum On-state Energy Power Loss Characteristics
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1E4
1E1
50 Hz
400
1000
2500
5000
Pulse Basewidth (
μs)
P
150
IRK.F112.. Series
Trapezoidal Pulse
T = 60
°C, di/dt 50A/μs
Snubber circuit
R = 47 ohms
C = 0.22 μF
V = 80% V
DRM
tp
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
2500
5000
Pulse Basewidth (
μs)
150
IRK.F112.. Series
Trapezoidal Pulse
T = 60
°C , di/dt 100A/μs
Snubber circuit
R = 47 ohms
C = 0.22 μF
V = 80% V
s
DRM
tp
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1
0.1
Pulse Basewidth (
μs)
P
IRK.F112.. Series
Sinusoidal pulse
10 joules per pulse
5
2.5
0.5
0.25
0.05
tp
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1
0.1
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F112..Series
Trapezoidal Pulse
di/dt 50A/
μs
10 joules per pulse
5
2.5
0.5
0.25
0.05
tp
1E1
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
VGD
IG D
(b)
(a)
T
°
T
T
(1)
(2)
Instantaneous G ate C urrent (A)
I
a) Recommended load line for
rated di/dt : 20V, 10ohms; tr<=1
μs
b) Recommended load line for
<=30% rated di/dt : 10V, 10ohms
tr<=1 μs
Rectang ular gate pulse
IRK.F112.. Series Frequency Limited by PG(AV)
(1) PGM = 10W, tp = 20ms
(2) PGM = 20W, tp = 10ms
(3) PGM = 40W, tp = 5ms
(4) PGM = 60W, tp = 3.3ms
(3) (4)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKTF111-04HNN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| IRKTF112-04HNN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| IRKTF111-08HNN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| IRKTF112-08HNN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| IRKHF132-08HL | INT-A-pak Power Modules(可控硅/二极管H结构INT-A-pak功率模块) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRKTF132-08HL | 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述: |
| IRKTF180-08HK | 功能描述:SCR模块 800 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF180-12HJ | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF180-12HK | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-08HJ | 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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