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参数资料
| 型号： | IRKTF112-04HNN |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| 中文描述： | 快速晶闸管/二极管和晶闸管/晶闸管 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | IRKTF112-04HNN |
IRK.F112.. Series
7
Bulletin I27091 rev. A 09/97
www.irf.com
Fig. 9 - Reverse Recovery Charge Characteristics
Fig. 10 - Reverse Recovery Current Characteristics
Fig. 11 - Frequency Characteristics
Fig. 12 - Frequency Characteristics
20
40
60
80
100
120
140
160
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
M
μ
Rate Of Fall Of On-sta te C urrent - di/dt (A/
μs)
I = 500 A
300 A
200 A
50 A
IRK.F112.. Series
T = 125 °C
100 A
20
40
60
80
100
120
140
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
M
Rate Of Fall Of On-state C urrent - di/dt (A/
μs)
300 A
200 A
100 A
50 A
IRK.F112.. Series
T = 125 °C
I = 500 A
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
2500
5000
P
IRK.F112.. Series
Sinusoidal Pulse
T = 90
°C
Snubber c ircuit
R = 47 ohms
C = 0.22
μF
V = 80% V
s
DRM
150
Pulse Basewidth (
μs)
tp
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
2500
5000
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber circ uit
R = 47 ohms
C = 0.22
μF
V = 80% V
s
DRM
150
IRK.F112.. Series
Sinusoidal Pulse
T = 60
°C
tp
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
2500
5000
Pulse Basewidth (
μs)
P
150
Snubber c ircuit
R = 47 ohms
C = 0.22
μF
V = 80% V
DRM
IRK.F112.. Series
Tra pezoidal Pulse
T = 90°C, di/dt 50A/μs
tp
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
2500
5000
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber circuit
R = 22 ohms
C = 0.15
μF
V = 80% V
s
DRM
150
IRK.F112.. Series
Trapezoidal Pulse
T = 90°C , di/dt 100A/μs
tp
1E1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKTF111-08HNN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| IRKTF112-08HNN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| IRKHF132-08HL | INT-A-pak Power Modules(可控硅/二极管H结构INT-A-pak功率模块) |
| IRKTF131-08HLN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| IRKTF132-08HLN | FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRKTF132-08HL | 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述: |
| IRKTF180-08HK | 功能描述:SCR模块 800 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF180-12HJ | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF180-12HK | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-08HJ | 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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