参数资料
型号: IRKTF132-08HL
厂商: International Rectifier
英文描述: FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
中文描述: 快速晶闸管/二极管和晶闸管/晶闸管
文件页数: 1/8页
文件大小: 137K
代理商: IRKTF132-08HL
130 A
FAST THYRISTOR/ DIODE and
THYRISTOR/ THYRISTOR
Bulletin I27092 rev. A 09/97
1
IRK.F132.. SERIES
INT-A-pak
Power Modules
www.irf.com
Features
Fast turn-off thyristor
Fast recovery diode
High surge capability
Electrically isolated baseplate
3000 V
RMS
isolating voltage
Industrial standard package
UL E78996 approved
Description
These series of INT-A-pak modules are intended for
applications such as self-commutated inverters, DC
choppers, electronic welders, induction heating and
others where fast switching characteristics are required.
Parameters
IRK.F132..
Units
I
T(AV)
130
A
@ T
C
90
°C
I
T(RMS)
293
A
I
TSM
@ 50Hz
3210
A
@ 60Hz
3360
A
I
2
t
@ 50Hz
51.5
KA
2
s
@ 60Hz
47.0
KA
2
s
I
2
t
515
KA
2
s
t
q
15
μs
t
rr
V
DRM
/ V
RRM
2
μs
up to 800
V
T
J
range
- 40 to 125
o
C
Major Ratings and Characteristics
相关PDF资料
PDF描述
IRKHF132-04HL INT-A-pak Power Modules(可控硅/二极管H结构INT-A-pak功率模块)
IRKHF152-04HL INT-A-pak Power Modules(可控硅/二极管H结构INT-A-pak功率模块)
IRKLF132-04HL INT-A-pak Power Modules(可控硅/可控硅L结构INT-A-pak功率模块)
IRKLF152-04HL INT-A-pak Power Modules(可控硅/可控硅L结构INT-A-pak功率模块)
IRKTF152-08HL INT-A-pak Power Modules(可控硅/可控硅T结构INT-A-pak功率模块)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRKTF180-08HK 功能描述:SCR模块 800 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF180-12HJ 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF180-12HK 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF200-08HJ 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF200-08HK 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK