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参数资料
型号： IRKTF180-08HK
厂商： International Rectifier
英文描述： 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,8V,快速可控硅/可控硅T结构MAGN-A-pak功率模块)
中文描述： 180甲，磁共振-甲柏功率模块（180A，8V的，快速可控硅/可控硅?结构磁共振-甲柏功率模块）
文件页数： 2/8页
文件大小： 154K
代理商： IRKTF180-08HK
IRK.F180.. Series
2
Bulletin I27100 rev. A 10/97
www.irf.com
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
Voltage
Code
V
RRM
/V
DRM
, maximum repetitive
peak reverse voltage
V
V
RSM
, maximum non-
repetitive peak rev. voltage
V
I
RRM
/I
DRM
max.
@ T
J
= 125°C
mA
Type number
08
800
800
12
1200
1200
I
T(AV)
Maximum average on-state current
@ Case temperature
180
85
A
°C
180° conduction, half sine wave
I
T(RMS)
I
TSM
Maximum RMS current
400
A
as AC switch
Maximum peak, one-cycle,
7130
A
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
7470
t = 8.3ms
reapplied
6000
t = 10ms
100% V
RRM
reapplied
6280
t = 8.3ms
Sinusoidal half wave,
I
2
t
Maximum I
2
t for fusing
255
KA
2
s
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= 125°C
232
t = 8.3ms
reapplied
180
t = 10ms
100% V
RRM
reapplied
164
t = 8.3ms
I
2
√
t
Maximum I
2
√
t for fusing
2550
KA
2
√
s
t = 0 to 10ms, no voltage reapplied
V
T(TO)1
Low level value of threshold voltage
V
T(TO)2
High level value of threshold voltage
1.30
V
(16.7% x
π
x I
T(AV)
< I <
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
(I >
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
(16.7% x
π
x I
T(AV)
< I <
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
(I >
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
1.38
r
t1
Low level value of on-state slope resistance
0.90
mW
r
t2
High level value of on-state slope resistance
0.71
V
TM
Maximum on-state voltage drop
1.84
V
I
pk
= 600A, T
J
= T
J
max., t
p
= 10ms sine pulse
I
H
Maximum holding current
600
mA
T
J
= 25°C, I
T
> 30 A
T
J
= 25°C, V
A
= 12V, Ra = 6
, Ig
= 1A
I
L
Typical latching current
1000
mA
Parameter
IRK.F180..
Units Conditions
On-state Conduction
Frequency f
Units
50Hz
400Hz
370
435
530
650
565
670
800
1000
2400
1540
3150
2050
A
A
2500Hz
290
430
490
720
610
830
A
5000Hz
240
345
390
540
390
540
A
10000Hz
170
270
290
390
-
-
A
Recovery voltage Vr
50
50
50
50
50
50
V
Voltage before turn-on Vd
80% V
DRM
80% V
DRM
80% V
DRM
-
V
Rise of on-state current di/dt
50
50
-
-
-
A/
μ
s
Case temperature
85
60
85
60
85
60
°C
Equivalent values for RC circuit
10
/0.47
μ
F
10
/0.47
μ
F
10
/0.47
μ
F
I
TM
I
TM
180
o
el
100μs
I
TM
180
o
el
Current Carrying Capacity
IRK.F180-
50
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PDF描述
IRKTF180-04HJ 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,4V,快速可控硅/可控硅T结构MAGN-A-pak功率模块)
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IRKHF180-08HK 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,8V,快速可控硅/二极管H结构MAGN-A-pak功率模块)
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相关代理商/技术参数
参数描述
IRKTF180-12HJ 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF180-12HK 功能描述:SCR模块 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF200-08HJ 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF200-08HK 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
IRKTF200-12HJ 功能描述:SCR模块 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
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