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参数资料
| 型号： | IRKTF180-12HJ |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,12V,快速可控硅/可控硅T结构MAGN-A-pak功率模块) |
| 中文描述： | 180甲，磁共振-甲柏功率模块（180A，12V的，快速可控硅/可控硅?结构磁共振-甲柏功率模块） |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | IRKTF180-12HJ |
IRK.F180.. Series
7
Bulletin I27100 rev. A 10/97
www.irf.com
Fig. 9 - Reverse Recovery Charge Characteristics
Fig. 10 - Reverse Recovery Current Characteristics
Fig. 11 - Frequency Characteristics
Fig. 12 - Frequency Characteristics
20
40
60
80
100
120
140
160
180
10
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30
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50
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70
80
90 100
500A
300A
200A
100A
M
Rate Of Fall Of Forward C urrent - di/dt (A/
μs)
IRK.F180.. Series
T = 125°C
I = 1000A
80
100
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180
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90 100
300 A
200 A
100 A
500 A
M
μ
Rate Of Fall Of Forwa rd C urrent - di/dt (A/
μs)
IRK.F180.. Series
T = 125°C
I = 1000 A
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Snubber c ircuit
Rs
Cs
μF
V = 80% V
P
Pulse Basewidth (
μs)
tp
1E4
IRK.F180.. Series
Tra pezoidal pulse
T = 85
°C di/dt 50A/μs
DRM
E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Snubber c ircuit
R s
Cs
μF
V = 80% V
Pulse Basewidth (
μs)
tp
DRM
IRK.F180.. Series
Trapezoidal pulse
T = 85
°C di/dt 100A/μs
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
P
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber circ uit
R = 10 ohms
C = 0.47
μF
V = 80% V
D
tp
Sinusoidal pulse
T = 85 °C
DRM
IRK.F180.. Series
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F180.. Series
Sinusoidal pulse
T = 60
°C
Snubber c irc uit
R = 10 ohms
C = 0.47 μF
V = 80% V
D
tp
DRM
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRKTF200-08HJ | 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-08HK | 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-12HJ | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| IRKTF200-12HK | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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