型号: | IRKTF180-12HK |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,12V,快速可控硅/可控硅T结构MAGN-A-pak功率模块) |
中文描述: | 180甲,磁共振-甲柏功率模块(180A,12V的,快速可控硅/可控硅?结构磁共振-甲柏功率模块) |
文件页数: | 5/8页 |
文件大小: | 154K |
代理商: | IRKTF180-12HK |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRKTF180-08HJ | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,8V,快速可控硅/可控硅T结构MAGN-A-pak功率模块) |
IRKTF180-08HK | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,8V,快速可控硅/可控硅T结构MAGN-A-pak功率模块) |
IRKTF180-04HJ | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,4V,快速可控硅/可控硅T结构MAGN-A-pak功率模块) |
IRKTF180-04HK | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,4V,快速可控硅/可控硅T结构MAGN-A-pak功率模块) |
IRKHF180-08HK | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,8V,快速可控硅/二极管H结构MAGN-A-pak功率模块) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRKTF200-08HJ | 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
IRKTF200-08HK | 功能描述:SCR模块 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
IRKTF200-12HJ | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
IRKTF200-12HK | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
IRKU/V71 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:THYRISTOR/ THYRISTOR |