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参数资料
| 型号： | IRKTF72-12HKN |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FAST THYRISTOR/DIODE and THYRISTOR/THYRISTOR |
| 中文描述： | 快速晶闸管/二极管和晶闸管/晶闸管 |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | IRKTF72-12HKN |
IRK.F72.. Series
8
Bulletin I27104 rev. A 09/97
www.irf.com
Fig. 15 - Gate Characteristics
Fig. 13 - Frequency Characteristics
Fig. 14 - Maximum On-state Energy Power Loss Characteristics
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
2500
5000
Pulse Basewidth (
μs)
P
150
Snubber circuit
R = 22 ohms
C = 0.15
μF
V = 80% V
DRM
IRK.F72.. Series
Trapezoidal Pulse
T = 90 °C, di/dt 50A/μs
tp
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
2500
5000
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber circuit
R = 22 ohms
C = 0.15
μF
V = 80% V
DRM
IRK.F72.. Series
Trapezoidal Pulse
T = 90 °C, di/dt 100A/μs
150
tp
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1
0.1
Pulse Basewidth (
μs)
P
10 joules per pulse
5
2.5
0.5
0.25
0.05
IRK.F72.. Series
Sinusoidal pulse
tp
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1
0.1
Pulse Basewidth (
μs)
10 joules per pulse
5
2.5
0.5
0.25
0.05
IRK.F72..Series
Trapezoidal Pulse
di/dt = 50A /
μs
tp
1E1
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
VGD
IG D
(b)
(a)
T
°
T
T
(1)
(2)
(3)
Instantaneous Gate C urrent (A)
I
a) Recommended load line for
rated di/dt : 20 V, 10 ohms tr<=1
μs
b) Recommended load line for
<=30% rated di/dt : 10 V, 10 ohms
tr<=1 μs
Rectangular g ate pulse
(1) PGM = 10W, tp = 10ms
(2) PGM = 20W, tp = 5ms
(3) PGM = 40W, tp = 2.5ms
IRK.F72.. Series Frequenc y Limited by PG (AV)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRKU105/04AS90 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:ADD-A-pak GEN V Power Modules THYRISTOR/ THYRISTOR |
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