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参数资料
| 型号： | IRL1004L |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-262 |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 40V的五（巴西）直|已废除一（d）|至262 |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | IRL1004L |
IRL1004S/1004L
6
www.irf.com
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
25
50
75
100
125
150
175
0
300
600
900
1200
1500
1800
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
32A
55A
78A
TOP
BOTTOM
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
V
DS
L
D.U.T.
V
DD
I
AS
t
p
0.01
R
G
+
-
t
p
V
DS
I
AS
V
DD
V
(BR)DSS
4.5 V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
4.5 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRL1004S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
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