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参数资料
| 型号： | IRL1004S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 40V的五（巴西）直|已废除一（d）|对263AB |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | IRL1004S |
IRL1004S/1004L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
10000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
30
60
90
120
150
180
0
2
4
6
8
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
78 A
V
= 20V
DS
V
= 32V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.5
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
1
10
100
1000
D
10000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
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PDF描述 |
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