参数资料
型号: IRL1104STRR
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 104A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8 毫欧 @ 62A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 68nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3445pF @ 25V
功率 - 最大: 2.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRL1104S/L
800
I D
1 5V
600
TOP
BOTTOM
25A
44A
62A
VD S
L
D R IV E R
RG
1 5 0V
tp
D .U .T
IA S
0.0 1 ?
+
- VD D
A
400
200
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
0
V (B R )D SS
25
50     75     100    125    150
Starting T J , Junction Temperature ( ° C)
175
tp
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Current Regulator
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
4.5 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V G
V GS
3mA
6
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
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