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参数资料
| 型号： | IRL2505STRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 104A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 54A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL2505S/L
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
55
––– ––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
–––
0.035 ––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
––– 0.008 V GS = 10V, I D = 54A ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
––– 0.010
?
V GS = 5.0V, I D = 54A ?
–––
––– 0.013 V GS = 4.0V, I D = 45A ?
160 ––– I D = 54A
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
1.0
59
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 2.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– ––– S V DS = 25V, I D = 54A ?
––– 25 V DS = 55V, V GS = 0V
μA
––– 250 V DS = 44V, V GS = 0V, T J = 150°C
––– 100 V GS = 16V
nA
––– -100 V GS = -16V
––– 130 I D = 54A
––– 25 nC V DS = 44V
––– 67 V GS = 5.0V, See Fig. 6 and 13 ??
12 ––– V DD = 28V
ns
43 ––– R G = 1.3 ?, V GS = 5.0V
84 ––– R D = 0.50 ?, See Fig. 10 ??
L S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
nH
Between lead,
and center of die contact
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
5000 ––– V GS = 0V
1100 ––– pF V DS = 25V
390 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– ––– 104 ?
––– ––– 360
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
t on
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 54A, V GS = 0V ?
––– 140 210 ns T J = 25°C, I F = 54A
––– 650 970 nC di/dt = 100A/μs ??
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? V DD = 25V, starting T J = 25°C, L = 240μH
R G = 25 ? , I AS = 54A. (See Figure 12)
? I SD ≤ 54A, di/dt ≤ 230A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? Uses IRL2505 data and test conditions
? Caculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature;for recommended current-handling of the
package refer to Design Tip # 93-4
** When mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
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PDF描述 |
|---|---|
| T491A105K016AH | CAP TANT 1UF 16V 10% 1206 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL2505STRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL2505STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL2505STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL2703 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
| IRL2703HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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