参数资料
型号: IRL3102STRLPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 1/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 61A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13 毫欧 @ 37A,7V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 15V
功率 - 最大: 89W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
PD- 95589
IRL3102SPbF
HEXFET ? Power MOSFET
D
V DSS = 20V
R DS(on) = 0.013 ?
G
?
Lead-Free
S
I D = 61A
www.irf.com
1
07/20/04
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PDF描述
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IRL3102STRR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
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