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参数资料
型号： IRL3103D1
厂商： International Rectifier
文件页数： 3/7页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
标准包装： 50
系列： FETKY™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 64A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 14 毫欧 @ 34A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 43nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1900pF @ 25V
功率 - 最大： 2W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220AB
包装： 管件
其它名称： *IRL3103D1
IRL3103D1
1000
TOP
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
1000
TOP
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
100
10
BOTTOM 2.5V
100
10
BOTTOM
2.5V
2.5V
2.5V
20μ s P U LS E W ID TH
20μs PULSE WIDTH
1
0.1
1
T J = 25°C
10
A
100
1
0.1
1
T J = 150°C
10
A
100
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
30
20
10
TOP
BOTTOM
VGS B
10V
8.0V
6.0V
4.0V
2.0V
0.0V
30
20
10
TOP
BOTTOM
VGS
10V
8.0V
6.0V
4.0V
2.0V
0.0V
0.0V
0.0V
20μs PULSE WIDTH
20μs PULSE WIDTH
0
T J = 25°C
A
0
T J = 150°C
A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V S D , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 3. Typical Reverse Output Characteristics
V S D , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 4. Typical Reverse Output Characteristics
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PDF描述
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参数描述
IRL3103D1PBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103D1S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103D1SPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103D1STRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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