参数资料
型号: IRL3202STRR
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 48A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫欧 @ 29A,7V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 43nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 15V
功率 - 最大: 69W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRL3202S
50
600
TOP
I D
13A
40
500
BOTTOM
18A
29A
400
30
300
20
200
10
100
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature ( C)
10
°
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Starting T J , Junction Temperature          ( ° C)
Fig 10. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
P DM
0.1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
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