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参数资料
| 型号： | IRL3302STRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 39A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 23A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL3302S
VGS
TOP
10V
8.0V
6.0V
TOP
10V
8.0V
6.0V
1000
VGS
TOP 15V
12V
10V
4.0V
3.0V
8.0V
6.0V
4.0V
2.5V
BOTTOM 3.0V
BOTTOM 2.5V
1000
VGS
TOP 15V
12V
10V
4.0V
3.0V
8.0V
6.0V
4.0V
2.5V
BOTTOM 3.0V
BOTTOM 2.5V
100
2.5V
20μs PULSE WIDTH
100
2.5V
20μs PULSE WIDTH
10
0.1
1
T J = 25 ° C
10
100
10
0.1
1
T J = 150 ° C
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
T J = 25 ° C
2.0
1.5
I D = 39A
T J = 150 C
100
°
1.0
10
0.5
V DS = 15V
1
2
3
4
5
20μs PULSE WIDTH
6 7
8
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = 4.5V
80 100 120 140 160
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
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