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参数资料
| 型号： | IRL3303STRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 870pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL3303S/LPbF
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
???
??? V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
???
0.035
??? V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
0.026 V GS = 10V, I D = 20A ?
?
μA
100 V GS = 16V
-100
V GS = -16V
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
???
???
1.0
12
???
???
???
???
???
???
???
???
???
???
???
???
???
???
???
???
???
???
???
???
???
???
7.4
200
14
36
0.040 V GS = 4.5V, I D = 17A ? T J = 150°C
V V DS = V GS , I D = 250μA
??? S V DS = 25V, I D = 20A ?
25 V DS = 30V, V GS = 0V
250 V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 150°C
nA
26 I D = 20A
8.8 nC V DS = 24V
15 V GS = 4.5V, See Fig. 6 and 13 ??
??? V DD = 15V
??? I D = 20A
??? R G = 6.5 ?
??? R D = 0.7 ?, See Fig. 10 ??
L S
Internal Source Inductance
???
7.5
???
nH
Between lead,
and center of die contact
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
???
???
???
870 ??? V GS = 0V
340 ??? pF V DS = 25V
170 ??? ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
??? ???
??? ???
38
140
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
t on
Notes:
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
??? ??? 1.3 V T J = 25°C, I S = 20A, V GS = 0V ?
??? 72 110 ns T J = 25°C, I F = 20A
??? 180 280 nC di/dt = 100A/μs ??
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? I SD ≤ 20A, di/dt ≤ 140A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
R G = 25 ? , I AS = 20A. (See Figure 12)
? V DD = 15V, starting T J = 25°C, L = 470μH ? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? Uses IRL3303 data and test conditions.
** When mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
2
www.irf.com
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