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参数资料
| 型号： | IRL3402S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 85A I(D) | TO-263AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 20V的五（巴西）直| 85A条（丁）|对263AA |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | IRL3402S |
10/31/97
IRL3402S
PRELIMINARY
HEXFET
Power MOSFET
PD - 9.1693
S
D
G
V
DSS
= 20V
R
DS(on)
= 0.01
I
D
= 85A
Description
These HEXFET Power MOSFETs were designed
specifically to meet the demands of CPU core DC-DC
converters. Advanced processing techniques
combined with an optimized gate oxide design results
in a die sized specifically to offer maximum efficiency
at minimum cost.
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
1.1
40
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**
°C/W
Thermal Resistance
The D
2
Pak is a surface mount power package capable
of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the
highest power capability and the lowest possible on-
resistance in any existing surface mount package. The
D
2
Pak is suitable for high current applications because
of its low internal connection resistance and can
dissipate up to 2.0W in a typical surface mount
application.
D Pak
l
Advanced Process Technology
l
Surface Mount
l
Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive
l
Ideal for CPU Core DC-DC Converters
l
Fast Switching
Parameter
Max.
85
54
340
110
0.91
± 10
14
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
(Start Up Transient, tp = 100μs)
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V
V
GS
V
GSM
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
290
51
11
5.0
mJ
A
mJ
V/ns
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3402S | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| IRL3502S | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
| IRL3502S | HEXFET Power MOSFET,Ideal for CPU Core DC-DC Converters(HEXFET功率MOS场效应管,理想用于CPU 核心 DC-DC 转换器) |
| IRL3705 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220AB |
| IRL3705NL | (186.82 k) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3402SPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3402STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3402STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3402STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3502 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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