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参数资料
型号： IRL3402S
厂商： International Rectifier
英文描述： N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管)
中文描述： N沟道HEXFET功率MOSFET的（不适用沟道的HEXFET功率马鞍山场效应管）
文件页数： 2/8页
文件大小： 128K
代理商： IRL3402S
IRL3402S
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 51A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 51A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
72
160
1.3
110
240
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
85
340
A
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
–––
0.02
–––
––– 0.010
–––
––– 0.008
0.70
–––
65
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10
–––
140
–––
80
–––
120
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 4.5V, I
D
= 51A
V
GS
= 7.0V, I
D
= 51A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 10V, I
D
= 51A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 10V
V
GS
= -10V
I
D
= 51A
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V, See Fig. 6
V
DD
= 10V
I
D
= 51A
R
G
= 5.0
,
V
GS
= 4.5V
R
D
= 0.19
,
Between lead,
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
25
250
100
-100
78
18
30
–––
–––
–––
–––
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
ns
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
3300 –––
1400 –––
510
pF
–––
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
GSS
nH
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Starting T
J
= 25°C, L = 0.55 mH
R
G
= 25
, I
AS
=51A.
I
SD
≤
51A, di/dt
≤
82A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Notes:
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Uses IRL3402 data and test conditions
** When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature; for recommended current-handling of the
package refer to Design Tip # 93-4
相关PDF资料
PDF描述
IRL3502S 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRL3502S HEXFET Power MOSFET,Ideal for CPU Core DC-DC Converters(HEXFET功率MOS场效应管,理想用于CPU 核心 DC-DC 转换器)
IRL3705 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220AB
IRL3705NL (186.82 k)
IRL3705NS (186.82 k)
相关代理商/技术参数
参数描述
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IRL3402STRL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3402STRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3402STRR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3502 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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