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参数资料
| 型号： | IRL3502S |
| 英文描述： | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
| 中文描述： | 20V的单个N -沟道HEXFET功率MOSFET的一项D2 - PAK封装 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | IRL3502S |
IRL3502S
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
120
I
D
LIMITED BY PACKAGE
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
29A
40A
64A
TOP
BOTTOM
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3502S | HEXFET Power MOSFET,Ideal for CPU Core DC-DC Converters(HEXFET功率MOS场效应管,理想用于CPU 核心 DC-DC 转换器) |
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| IRL3705NL | (186.82 k) |
| IRL3705NS | (186.82 k) |
| IRL3705S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-252VAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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