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参数资料
| 型号： | IRL3502S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 元件分类： | DC/DC变换器 |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET,Ideal for CPU Core DC-DC Converters(HEXFET功率MOS场效应管,理想用于CPU 核心 DC-DC 转换器) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET，为CPU核心区的理想- DC转换器（马鞍山的HEXFET功率场效应管，理想用于CPU的核心的DC - DC转换器） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | IRL3502S |
IRL3502S
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
10
100
1000
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
°
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 C
= 25°
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
0
40
80
120
160
0
3
6
9
12
15
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
64A
V
= 16V
DS
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