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参数资料
| 型号： | IRL3705N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N沟道 HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | N沟道HEXFET功率MOSFET的（不适用沟道的HEXFET功率马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | IRL3705N |
IRL3705N
PPART NUMBER
ININTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
EEXAMPLE : THIS IS AN IRF1010
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9B1M
ASSEMBLY
LOT CODE
DDATE CODE
(Y(YYW W )
YYY = YEAR
W W W = W EEK
929246
IRIRF1010
9B9B 1M
A
Part Marking Information
TO-220AB
Package Outline
TO-220AB Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
A
L E AD A S S IG N M E N T S
1 - G A T E
2 - D R AIN
3 - S O U R C E
4 - D R AIN
- B -
1 .3 2 (.0 52 )
3X
0.5 5 (.02 2)
0.4 6 (.01 8)
2 .9 2 (.11 5 )
2 .6 4 (.10 4 )
4 .69 (.1 85 )
4 .20 (.1 65 )
3X
0 .93 (.0 37 )
4.0 6 (.16 0)
3.5 5 (.14 0)
1.15 (.0 4 5)
6.4 7 (.25 5)
3.78 (.14 9)
3.54 (.13 9)
- A -
1 0.5 4 (.41 5)
1 0.2 9 (.40 5)
2 .87 (.1 13 )
1 5.24 (.6 0 0)
1 4.09 (.5 5 5)
1 3.47 (.5 3 0)
3 X
1 .4 0 (.05 5 )
1 .1 5 (.04 5 )
2 .54 (.1 00 )
2X
0 .3 6 (.01 4) M B A M
4
1 2 3
N O T E S :
1 D IM E N S IO N IN G & T O L ER AN C IN G P ER A N S I Y 14 .5 M , 1 98 2. 3 O U T L IN E C O N F O R M S T O JE D E C OU T LIN E T O -2 20 A B.
2 C O N T R OL LIN G D IM E N S IO N : IN C H 4 H EA T S IN K & L E AD M EA S U R E M E N T S D O N O T IN C L U D E BU R R S .
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3713 | SMPS MOSFET |
| IRL3713L | SMPS MOSFET |
| IRL3713S | SMPS MOSFET |
| IRL3714 | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=20mohm, Id=36A) |
| IRL3714STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 36A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3705N/L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRL3705NL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 89A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3705NLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 89A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3705NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3705NS | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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