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参数资料
| 型号： | IRL3714L |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=20mohm, Id=36A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 20V的，的Rds（on）最大值\u003d 20mohm，身份证\u003d 36A条） |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | IRL3714L |
IRL3714/3714S/3714L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0.0
1.0
2.0
3.0
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 25
°
C
TJ = 175
°
C
VGS = 0V
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25
°
C
Tj = 175
°
C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
0
4
8
12
16
20
0
3
6
9
12
15
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
14
V
= 10V
DS
V
= 16V
DS
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