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参数资料
| 型号： | IRL3714PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 47W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRL3714PBF |
PD - 95580
IRL3714PbF
Applications
SMPS MOSFET
IRL3714SPbF
IRL3714LPbF
l
High Frequency Isolated DC-DC
HEXFET ? Power MOSFET
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
V DSS
R DS(on) max
I D
l
High Frequency Buck Converters for
20V
20m ?
36A
Computer Processor Power
l
Lead-Free
Benefits
l
l
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R DS(on) at 4.5V V GS
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRL3714
D 2 Pak
IRL3714S
TO-262
IRL3714L
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Max.
20
± 20
Units
V
V
I D @ T C
= 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
36
I D @ T C
I DM
P D @T C
P D @T C
= 70°C
= 25°C
= 70°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Maximum Power Dissipation ?
Maximum Power Dissipation ?
Linear Derating Factor
31
140
47
33
0.31
A
W
W
W/°C
T J , T STG
Junction and Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
3.2
R θ CS
R θ JA
R θ JA
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface ?
Junction-to-Ambient ?
Junction-to-Ambient (PCB mount) ?
0.50
–––
–––
–––
62
40
°C/W
Notes ? through ? are on page 11
www.irf.com
1
07/20/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3716LPBF | MOSFET N-CH 20V 180A TO-262 |
| CKM12BTW01-024 | SWITCH KEYLOCK 16MM KEYCODE 024 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRL3714STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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