- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377534 > IRL3714STRL (International Rectifier) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 36A I(D) | TO-263AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRL3714STRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 36A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 20V的五（巴西）直| 36A条（丁）|对263AB |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | IRL3714STRL |
IRL3714/3714S/3714L
www.irf.com
11
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Notes:
Starting T
J
= 25
°
C, L = 0.69 mH
R
G
= 25
, I
AS
= 14A.
This is applied to D
2
Pak, when mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
This is only applied to TO-220AB package
D
2
Pak Tape & Reel Information
3
4
4
TRR
FEED DIRECTION
1.85 (.073)
1.65 (.065)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
TRL
FEED DIRECTION
10.90 (.429)
10.70 (.421)
16.10 (.634)
15.90 (.626)
1.75 (.069)
1.25 (.049)
11.60 (.457)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
13.50 (.532)
12.80 (.504)
330.00
(14.173)
MAX.
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
60.00 (2.362)
MIN.
30.40 (1.197)
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
NOTES :
1. COMFORM S TO EIA-418.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
Data and specifications subject to change without notice.
These products have been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR
’
s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
.
06/01
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3714STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 36A I(D) | TO-263AB |
| IRL3714L | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=20mohm, Id=36A) |
| IRL3714S | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=20mohm, Id=36A) |
| IRL5NJ024 | LOGIC LEVEL HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
| IRL640 | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3714STRLPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 6.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3714STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3714STRRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 6.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3714Z | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL3714ZHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 36A 3PIN TO-220AB - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。