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参数资料
型号： IRL3715ZCLPBF
厂商： International Rectifier
文件页数： 1/12页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
标准包装： 50
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 11 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 2.55V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 11nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 870pF @ 10V
功率 - 最大： 45W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装： TO-262
包装： 管件
其它名称： *IRL3715ZCLPBF
PD - 95220
IRL3715ZCSPbF
IRL3715ZCLPbF
Applications
l High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
l Lead-Free
Benefits
HEXFET ? Power MOSFET
V DSS R DS(on) max Qg
20V 11m ? 7.0nC
l
l
l
Low R DS(on) at 4.5V V GS
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Absolute Maximum Ratings
Parameter
D 2 Pak
IRL3715ZCS
Max.
TO-262
IRL3715ZCL
Units
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T C = 100°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
20
± 20
50 ?
36 ?
200
45
23
0.30
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
V
A
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB Mount) ?
–––
–––
3.33
40
°C/W
Notes ? through ? are on page 11
www.irf.com
1
04/27/04
相关PDF资料
PDF描述
F951D335KAAAQ2 CAP TANT 3.3UF 20V 10% 1206
F951E335KAAAQ2 CAP TANT 3.3UF 25V 10% 1206
CKM12AFW01-010 SWITCH KEYLOCK 16MM KEYCODE 010
ABLS2-16.000MHZ-D4Y-T CRYSTAL 16.0000 MHZ 18PF SMD
CKM12AFW01-009 SWITCH KEYLOCK 16MM KEYCODE 009
相关代理商/技术参数
参数描述
IRL3715ZCS 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3715ZCSPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3715ZCSTRLP 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3715ZCSTRRP 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3715ZL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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