- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21654 > IRL520NSTRL (International Rectifier)MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRL520NSTRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL520NS/L
V DS
L
D.U.T.
200
160
TOP
B O T TO M
I D
2.4 A
4.2A
6 .0 A
R G
+
- DD
V
120
10 V
t p
I AS
0.01 ?
80
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
40
V (BR)DSS
t p
V DD
0
25
50
75
100
125
150
A
175
S tarting T J , J unc tion T em perature (°C )
V DS
I AS
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V G
V GS
3mA
Charge
I G
I D
Current Sampling Resistors
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL520NS | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK |
| IRL3803STRL | MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK |
| IRL3705NSTRL | MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK |
| IRL3705NS | MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK |
| IRL3302S | MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL520NSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRL520NSTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 10A 180mOhm 13.3nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL520NSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL520NSTRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRL520PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。