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参数资料
| 型号： | IRL530NSTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL530NS/L
100
TOP
VGS
15V
100
TOP
VGS
15V
10
1
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
2 .5V
10
1
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
2.5 V
2 0μ s P U LS E W ID TH
2 0μ s P U LS E W ID TH
0.1
0.1
1
T J = 2 5°C
10
A
100
0.1
0.1
1
T J = 1 75 °C
10
A
100
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
1
T J = 2 5 °C
T J = 1 7 5°C
V DS = 5 0V
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 15 A
0.1
2
3
4
5
6
2 0μ s P U L S E W ID TH
7 8 9
10
A
0.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
V G S = 1 0V
A
100 120 140 160 180
V G S , G ate-to -So urce Voltag e (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , J unc tion T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL530STRL | MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK |
| IRL540STRR | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
| IRL540 | MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB |
| IRL5602STRLPBF | MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK |
| IRL5602STRR | MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL530NSTRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRL530NSTRRPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 100mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL530PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 15 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL530S | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL530STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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