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参数资料
| 型号： | IRL540STRL |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 77 毫欧 @ 17A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 64nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL540S, SiHL540S
Vishay Siliconix
THERMAL RESISTANCE RATINGS
PARAMETER
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
(PCB Mount) a
Maximum Junction-to-Case (Drain)
SYMBOL
R thJA
R thJA
R thJC
TYP.
-
-
-
MAX.
62
40
1.0
UNIT
°C/W
Note
a. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).
SPECIFICATIONS (T J = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
Gate-Source Threshold Voltage
Gate-Source Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
V DS
? V DS /T J
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0, I D = 250 μA
Reference to 25 °C, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 250 μA
V GS = ± 10 V
V DS = 100 V, V GS = 0 V
V DS = 80 V, V GS = 0 V, T J = 150 °C
100
-
1.0
-
-
-
-
0.12
-
-
-
-
-
-
2.0
± 100
25
250
V
V/°C
V
nA
μA
Drain-Source On-State Resistance
R DS(on)
V GS = 5 V
V GS = 4 V
I D = 17 A b
I D = 14 A b
-
-
-
-
0.077
0.11
?
Forward Transconductance
g fs
V DS = 50 V, I D = 17 A b
12
-
-
S
Dynamic
Input Capacitance
C iss
V GS = 0 V,
-
2200
-
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
C oss
C rss
Q g
V DS = 25 V,
f = 1.0 MHz, see fig. 5
-
-
-
560
140
-
-
-
64
pF
Gate-Source Charge
Q gs
V GS = 5 V
I D = 28 A, V DS = 80 V,
see fig. 6 and 13 b
-
-
9.4
nC
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Q gd
t d(on)
-
-
-
8.5
27
-
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V DD = 50 V, I D = 28 A,
R g = 9.0 ? , R D = 1.7 ? , see fig. 10 b
-
-
-
170
35
80
-
-
-
ns
Internal Drain Inductance
L D
Between lead,
6 mm (0.25") from
package and center of
G
D
-
4.5
-
nH
Internal Source Inductance
L S
die contact
-
7.5
-
S
Drain-Source Body Diode Characteristics
Continuous Source-Drain Diode Current
Pulsed Diode Forward Current a
I S
I SM
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p - n junction diode
G
D
S
-
-
-
-
28
110
A
Body Diode Voltage
Body Diode Reverse Recovery Time
Body Diode Reverse Recovery Charge
V SD
t rr
Q rr
T J = 25 °C, I S = 28 A, V GS = 0 V b
T J = 25 °C, I F = 28 A, dI/dt = 100 A/μs b
-
-
-
-
200
1.7
2.5
260
2.9
V
ns
μC
Forward Turn-On Time
t on
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S and L D )
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. Pulse width ? 300 μs; duty cycle ? 2 %.
www.vishay.com
2
Document Number: 90386
S11-1045-Rev. C, 30-May-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRL541 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-220AB |
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| IRL5602SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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