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参数资料
| 型号： | IRL5NJ024 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | LOGIC LEVEL HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
| 中文描述： | 逻辑电平HEXFET功率MOSFET的表面贴装系统（SMD - 0.5） |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | IRL5NJ024 |
IRL5NJ024
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
200
400
600
800
1000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
24
0
2
4
6
8
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
11A
V
= 11V
DS
V
= 27V
DS
V
= 44V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25
°
C
Tj = 150
°
C
Single Pulse
1ms
1
0ms
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
1
00μs
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