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参数资料
| 型号： | IRL610S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 200伏五（巴西）直| 3.3AI（四）|对263AB |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 245K |
| 代理商： | IRL610S |
IRL610S
6
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
5V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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