型号: | IRL610S |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 200V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为200V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
中文描述: | 3.3 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
文件页数: | 7/7页 |
文件大小: | 245K |
代理商: | IRL610S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRL640S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252VAR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRL620PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRL620S | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |